FDB075N15A, MOSFET N-Ch 150V 130A Pow

PartNumber: FDB075N15A
Ном. номер: 8034933865
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDB075N15A, MOSFET N-Ch 150V 130A Pow
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
420 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 300 руб.
от 200 шт. — 229.65 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 150V 130A PowerTrench D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0075 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
5525 пФ при 75 В
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки включения
37 ns
Ширина
9.65mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.83mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDB075N15A, N-Channel PowerTrench MOSFET ...