FDC365P, MOSFET P-Channel 35V 4.3A

PartNumber: FDC365P
Ном. номер: 8058413093
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC365P, MOSFET P-Channel 35V 4.3A
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
40 × = 200
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.


PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET P-Channel 35V 4.3A SuperSOT6

Технические параметры

Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Тип канала
Четырехканальный дренаж
3 x 1.7 x 1
Максимальный непрерывный ток стока
4.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.09 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
35 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
Тип корпуса
Число контактов
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
530 пФ при -20 В
Типичное время задержки выключения
15 ns
Типичное время задержки включения
7 ns
Minimum Gate Threshold Voltage
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDC365P, PowerTrench -35V P-Channel MOSFET