FDC6301N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 220 мА, 25 В, 5 Ом, 4.5 В, 850 мВ

PartNumber: FDC6301N
Ном. номер: 8022026540
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC6301N, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 1782 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
32 × = 32
от 25 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 8.20 руб.

Описание

The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
• Gate-source Zener for ESD ruggedness
• -0.5 to 8V Gate to source voltage
• 0.22A Continuous drain/output current
• 0.5A Pulsed drain/output current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1700673

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Непрерывный Ток Стока
220мА
Напряжение Истока-стока Vds
25В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ
Рассеиваемая Мощность
900мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDC6301N