Добавить к сравнению Сравнить ()

FDC6321C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 460 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ

PartNumber: FDC6321C
Ном. номер: 8065490375
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC6321C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 460 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ
Доступно на заказ 134 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
32 × = 32
от 80 шт. — 22 руб.

Описание

The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
• Gate-source Zener for ESD ruggedness

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
900мВт
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
25В
Непрерывный Ток Стока
460мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.33Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
800мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDC6321C