FDC6321C, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 460 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ

PartNumber: FDC6321C
Ном. номер: 8065490375
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC6321C, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 2284 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
34 × = 34
от 80 шт. — 24 руб.
от 250 шт. — 23 руб.

Описание

The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
• Gate-source Zener for ESD ruggedness

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9844848

Технические параметры

Полярность Транзистора
N и P Канал
Непрерывный Ток Стока
460мА
Напряжение Истока-стока Vds
25В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.33Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
800мВ
Рассеиваемая Мощность
900мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDC6321C