FDC658AP, Транзистор MOSFET P-канал 30В 4А [SSOT-6]

Фото 1/4 FDC658AP, Транзистор MOSFET P-канал 30В 4А [SSOT-6]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 руб.
от 25 шт.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 31 руб.
Номенклатурный номер: 9000325983
Артикул: FDC658AP

Описание

Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®

onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 4 A
Maximum Drain Source Resistance 75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 6
Series PowerTrench
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 6 nC @ 5 V
Width 1.7mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 215 КБ
Datasheet
pdf, 319 КБ
Datasheet
pdf, 133 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов