FDC855N, MOSFET, Fairchild, FDC855

PartNumber: FDC855N
Ном. номер: 8069126838
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC855N, MOSFET, Fairchild, FDC855
Доступно на заказ 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
38 × = 760
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 24 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET, Fairchild, FDC855N

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор логического уровня
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
6.1 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.039 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
9.2 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
493 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
14 нс
Типичное время задержки включения
6 нс
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1mm
Длина
3mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDC855N, Single N-Channel, Logic Level ...