FDD26AN06A0_F085, MOSFET N-Ch 60V 36A Power

PartNumber: FDD26AN06A0_F085
Ном. номер: 8041184778
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD26AN06A0_F085, MOSFET N-Ch 60V 36A Power
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
79 × = 790
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 60V 36A PowerTrench DPAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.058 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
75 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
800 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
23 нс
Типичное время задержки включения
9 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD26AN06A0_F085, N-Channel PowerTrench ...