FDD5N50TM_WS, MOSFET N-Ch 500V 4A UniFE

PartNumber: FDD5N50TM_WS
Ном. номер: 8040031673
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD5N50TM_WS, MOSFET N-Ch 500V 4A UniFE
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
87 × = 870
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 500V 4A UniFET DPAK

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор UniFET
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
1.4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
480 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
28 нс
Типичное время задержки включения
13 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD5N50, N-Channel UniFET MOSFET 500V, 4A, 1.4 Ohm