FDD6612A, MOSFET N-Channel 30V 9.5A

PartNumber: FDD6612A
Ном. номер: 8021483682
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD6612A, MOSFET N-Channel 30V 9.5A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 55 руб.
от 250 шт. — 37.96 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 30V 9.5A DPAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.033 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
36 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-252
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
6.7 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
24 нс
Типичное время задержки включения
9 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD6612A/FDU6612A, PowerTrench 30V N-Channel ...