Добавить к сравнению Сравнить ()

FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [DPAK / TO252]

Артикул: FDD6637
Ном. номер: 9020006957
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [DPAK / TO252]
Фото 2/3 FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [DPAK / TO252]Фото 3/3 FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [DPAK / TO252]
Есть в наличии более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
53 × = 53
от 10 шт. — 42 руб.
от 50 шт. — 23.69 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
11.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

FDD6637 Datasheet
pdf, 121 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDD6637
Datasheet FDD6637
Datasheet FDD6637
Datasheet FDD6637
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов