FDD86113LZ, MOSFET N-Ch 100V 5.5A Pow

PartNumber: FDD86113LZ
Ном. номер: 8066804838
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD86113LZ, MOSFET N-Ch 100V 5.5A Pow
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
72 × = 720
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 48 руб.
от 250 шт. — 39.40 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 100V 5.5A PowerTrench DPAK

Технические параметры

Категория
DC/DC преобразователь
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
5.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.17 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
29 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
3.7 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
213 пФ при 50 В
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD86113LZ, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V ...