FDD86252, MOSFET N-Channel 150V 5A

PartNumber: FDD86252
Ном. номер: 8057171529
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDD86252, MOSFET N-Channel 150V 5A
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
210 × = 420
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 110 руб.
от 40 шт. — 89.75 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 150V 5A TO252

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
42 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.103 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
89 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-252
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
11.3 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
741 пФ при 75 В
Типичное время задержки выключения
14 ns
Типичное время задержки включения
8.3 нс
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDD86252 N-Channel PowerTrench MOSFET Data Sheet