FDG316P, МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А, -30 В, 190 мОм, -10 В, -1.6 В

PartNumber: FDG316P
Ном. номер: 8118933629
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG316P, МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А ...
Доступно на заказ 935 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
32 × = 32
от 25 шт. — 28 руб.
от 100 шт. — 25 руб.

Описание

The FDG316P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Compact industry standard surface-mount package
• 3.5nC Typical low gate charge

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1708614

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
1.6А
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.19Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.6В
Рассеиваемая Мощность
750мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDG316P