Добавить к сравнению Сравнить ()

FDG6301N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 220 мА, 25 В, 4 Ом, 4.5 В, 850 мВ

PartNumber: FDG6301N
Ном. номер: 8079890603
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG6301N, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 220 мА, 25 В, 4 Ом, 4.5 В, 850 мВ
Доступно на заказ 1928 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
23 × = 23
от 80 шт. — 14 руб.
от 250 шт. — 13 руб.

Описание

The FDG6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signals MOSFETs.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
• Gate-source Zener for ESD ruggedness (>6kV human body model)
• Compact industry standard surface-mount-package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
25В
Непрерывный Ток Стока
220мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
4Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDG6301N