Добавить к сравнению Сравнить ()

FDG6306P, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -600 мА, -20 В, 0.3 Ом, -4.5 В, -1.2 В

PartNumber: FDG6306P
Ном. номер: 8069614497
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG6306P, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -600 мА, -20 В, 0.3 Ом, -4.5 В, -1.2 В
Доступно на заказ 499 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
33 × = 33
от 50 шт. — 29 руб.
от 100 шт. — 17 руб.

Описание

The FDG6306P is a dual P-channel MOSFET rugged gate version advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use with battery management and load switch applications.

• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Compact industry standard surface-mount-package
• ±12V Gate to source voltage
• -0.6A Continuous drain current
• -2A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-600мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.3Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.2В

Дополнительная информация

Datasheet FDG6306P