FDG6306P, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -600 мА, -20 В, 0.3 Ом, -4.5 В, -1.2 В

PartNumber: FDG6306P
Ном. номер: 8069614497
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG6306P, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 564 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
36 × = 36
от 50 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 18 руб.

Описание

The FDG6306P is a dual P-channel MOSFET rugged gate version advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use with battery management and load switch applications.

• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Compact industry standard surface-mount-package
• ±12V Gate to source voltage
• -0.6A Continuous drain current
• -2A Pulsed drain current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2453406

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Непрерывный Ток Стока
-600мА
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.3Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.2В
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SC-70
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDG6306P