FDG6316P, MOSFET P-Channel 12V 0.7A

PartNumber: FDG6316P
Ном. номер: 8004185000
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDG6316P, MOSFET P-Channel 12V 0.7A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
42 × = 420
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 15 руб.
от 500 шт. — 12.40 руб.

Описание

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Fairchild FDG6316P Dual P-channel MOSFET Transistor, 0.7 A, 12 V, 6-Pin SC-70

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Двойной дренаж
Размеры
2 x 1.25 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
0.7 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.65 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
12 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.3 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SC-70
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
1.7 нКл при -4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
146 пФ при -6 В
Типичное время задержки выключения
8 ns
Типичное время задержки включения
5 нс
Ширина
1.25mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
1mm
Длина
2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDG6316P, Dual P-Channel 1.8V Specified ...