FDI030N06, MOSFET N-Ch 60V 193A Powe

PartNumber: FDI030N06
Ном. номер: 8066145074
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDI030N06, MOSFET N-Ch 60V 193A Powe
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
400 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 60V 193A PowerTrench I2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.29 x 9.65 x 4.83мм
Максимальный непрерывный ток стока
193 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0032 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
231 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
I2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
116 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
7380 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
54 ns
Типичное время задержки включения
39 нс
Ширина
9.65mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
4.83mm
Длина
10.29mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FDI030N06, N-Channel PowerTrench MOSFET 60V ...