FDMC2523P, MOSFET P-Channel 150V 1.8

PartNumber: FDMC2523P
Ном. номер: 8052870339
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC2523P, MOSFET P-Channel 150V 1.8
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
72 × = 360
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 42 руб.
от 100 шт. — 35.70 руб.

Описание

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET P-Channel 150V 1.8A MLP8EP

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Типичное время задержки выключения
19 ns
Типичная входная емкость при Vds
200 пФ при 25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6.2 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
15 ns
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3mm
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Single
Тип канала
P
Размеры
3 x 3 x 0.95
Длина
3mm
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Тип корпуса
MLP
Максимальный непрерывный ток стока
1.8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.95mm
Максимальное сопротивление сток-исток
3.6 Ω
Номер канала
Поднятие

Дополнительная информация

Trans MOSFET P-CH 150V 1.8A 8-Pin MLP EP