FDMC4435BZ_F126, MOSFET P-Ch 30V 18A Trenc

PartNumber: FDMC4435BZ_F126
Ном. номер: 8019362562
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC4435BZ_F126, MOSFET P-Ch 30V 18A Trenc
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
32 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 125 шт. — 19 руб.
от 250 шт. — 16.92 руб.

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET P-Ch 30V 18A Trench MLP8

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
3.3 x 3.3 x 0.5мм
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.021 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
31 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
MLP
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
38 nC @ -10 V
Типичная входная емкость при Vds
1535 пФ при -15 В
Типичное время задержки выключения
35 нс
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
3.3mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
0.5mm
Длина
3.3mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDMC4435BZ, P-Channel PowerTrench MOSFET ...