FDMC6675BZ, MOSFET P-Channel 30V 9.5A

PartNumber: FDMC6675BZ
Ном. номер: 8064504490
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC6675BZ, MOSFET P-Channel 30V 9.5A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
120 × = 240
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.


PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Fairchild FDMC6675BZ P-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 8-Pin MLP

Технические параметры

Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Тип канала
Четырехканальный дренаж, тройной источник
3.3 x 3.3 x 0.75мм
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.027 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
36 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
Тип корпуса
Число контактов
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 0 → -10 В
Типичная входная емкость при Vds
2154 пФ при -15 В
Типичное время задержки выключения
44 ns
Типичное время задержки включения
11 нс
Материал транзистора
Minimum Gate Threshold Voltage
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDMC6675BZ, Power Trench -30V P-Channel MOSFET