FDMC8878, MOSFET N-Channel 30V 9.6A

PartNumber: FDMC8878
Ном. номер: 8029792896
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC8878, MOSFET N-Channel 30V 9.6A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
120 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 62 руб.
от 100 шт. — 44.70 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 30V 9.6A Power 33

Технические параметры

Номер канала
Поднятие
Размеры
3 x 3 x 0.95
Длина
3mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
Power 33
Максимальный непрерывный ток стока
9.6 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.95mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.014 Ω
Максимальное рассеяние мощности
2.1 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичная входная емкость при Vds
925 пФ при 15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при -10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
8 нс
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3mm
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный, тройной источник
Тип канала
N

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8- Power 33