FDMC8884, Транзистор N-CH 30V 9A [MLP 3.3x3.3]

Артикул: FDMC8884
Ном. номер: 9000291688
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMC8884, Транзистор N-CH 30V 9A [MLP 3.3x3.3]
Доступно на заказ 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
78 × = 390
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Fairchild FDMC8884 N-channel MOSFET Transistor, 24 A, 30 V, 8-pin MLP

Технические параметры

Maximum Drain Source Voltage
30 V
высота
0.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC@ 0 → 10 V
Maximum Continuous Drain Current
24 A
максимальная рабочая температура
+150 °C
Channel Mode
Enhancement
Maximum Drain Source Resistance
0.03 Ω
Channel Type
N
тип монтажа
Surface Mount
длина
3.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип упаковки
MLP
размеры
3.3 x 3.3 x 0.75mm
Typical Turn-On Delay Time
6 ns
Number of Elements per Chip
1
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
разрешение
Power MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность
18 W
Pin Count
8
ширина
3.3mm
Typical Turn-Off Delay Time
15 ns
Typical Input Capacitance @ Vds
513 pF@ 15 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
конфигурация
Quad Drain, Triple Source

Техническая документация

FDMC8884
pdf, 581 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
FDMC8884, PowerTrench 30V N-Channel MOSFET