FDME910PZT, MOSFET P-Ch 20V 8A PowerT

PartNumber: FDME910PZT
Ном. номер: 8067447038
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDME910PZT, MOSFET P-Ch 20V 8A PowerT
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
60 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Fairchild FDME910PZT P-channel MOSFET Transistor, 8 A, 20 V, 6-Pin MLP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
1.6 x 1.6 x 0.5mm
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.045 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.1 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
MLP
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ -10 V
Типичная входная емкость при Vds
1586 пФ при -10 В
Типичное время задержки выключения
87 ns
Типичное время задержки включения
9 ns
Ширина
1.6mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
0.5mm
Длина
1.6mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDME910PZT, P-Channel PowerTrench MOSFET ...