FDMS037N08B, MOSFET N-Ch 75V 100A Powe

PartNumber: FDMS037N08B
Ном. номер: 8070183703
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMS037N08B, MOSFET N-Ch 75V 100A Powe
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
150 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 88 руб.
от 100 шт. — 74.50 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 75V 100A PowerTrench PQFN8

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Размеры
5.1 x 6.25 x 1.05мм
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0037 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
104.2 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
Power 56
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
76.8 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4550 пФ при 37.5 В
Типичное время задержки выключения
55.3 нс
Типичное время задержки включения
34.9 ns
Ширина
6.25mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
1.05mm
Длина
5.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDMS037N08B, N-Channel PowerTrench MOSFET ...