FDMS3660S, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 60 А, 30 В, 0.0013 Ом, 10 В, 1.5 В

PartNumber: FDMS3660S
Ном. номер: 8033248992
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDMS3660S, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 2163 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
180 × = 180
от 25 шт. — 158 руб.
от 100 шт. — 145 руб.

Описание

The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

• Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
• MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2322592

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Непрерывный Ток Стока
60А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0013Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.5В
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора
Power 56
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDMS3660S