FDN304P, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 руб.
от 5 шт. —
8.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой FDN304P от производителя ONSEMI – высококачественный компонент для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном SMD корпусе типа SOT23, предназначен для монтажа на поверхность платы. С током стока 2,4 А и напряжением сток-исток 20 В данный транзистор идеально подходит для различных электронных схем, где требуется эффективное управление нагрузкой. Модель FDN304P характеризуется высокой надежностью и стабильностью параметров, что обеспечивает длительный срок службы и стабильность работы электронного устройства. Используйте FDN304P для создания эффективных и экономичных электронных решений. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.4 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 12 S |
| Height | 1.12 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -2.4 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FDN304P_NL |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDN304P |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Width | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
Документация
pdf, 262 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
