Добавить к сравнению Сравнить ()

FDN306P, МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 40 мОм, -4.5 В, -600 мВ

PartNumber: FDN306P
Ном. номер: 8052377612
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDN306P, МОП-транзистор, P Канал, -2.6 А, -12 В, 40 мОм, -4.5 В, -600 мВ
Доступно на заказ 2613 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
28 × = 28
от 80 шт. — 17 руб.
от 250 шт. — 16 руб.

Описание

The FDN306P is a P-channel 1.8V specified MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.

• Fast switching
• High performance trench technology for extremely low RDS

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-12В
Непрерывный Ток Стока
-2.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.04Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-600мВ

Дополнительная информация

Datasheet FDN306P