FDN5618P, МОП-транзистор, P Канал, -1.25 А, -60 В, 170 мОм, -10 В, 20 В

PartNumber: FDN5618P
Ном. номер: 8079238370
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDN5618P, МОП-транзистор, P Канал, -1.25 А ...
Доступно на заказ 8575 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
28 × = 28
от 80 шт. — 19 руб.

Описание

The FDN5618P from Fairchild is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.

• High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
• Drain to source voltage (Vds) of -60V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) of -1.25A
• Power dissipation (pd) of 500mW
• Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
• Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9846344

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
-1.25А
Напряжение Истока-стока Vds
-60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.17Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
20В
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SuperSOT
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDN5618P