FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Спецпредложение
640 руб.
от 15 шт. —
604 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 164 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом/75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 268 | |
Крутизна характеристики, S | 150 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.5…4.5 | |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet FDP047N08
pdf, 526 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают