Добавить к сравнению Сравнить ()

FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]

Артикул: FDP18N50
Ном. номер: 9000137552
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
Доступно на заказ 134 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
180 × = 180
от 25 шт. — 154 руб.
от 100 шт. — 130 руб.

Описание

The FDP18N50 is a 500V N-channel UniFET™ MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode's reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET's body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested

Код: 1495258

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
265
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

FDP18N50
pdf, 963 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet FDP18N50