FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]

Фото 1/4 FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
570 руб.
от 15 шт.498 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 9000284153
Артикул: FDP22N50N

Описание

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 312.5
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 557 КБ
Datasheet FDP22N50N
pdf, 884 КБ
FDP22N50N
pdf, 886 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов