Добавить к сравнению Сравнить ()

FDP7030BL, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 9 мОм, 10 В, 1.9 В

PartNumber: FDP7030BL
Ном. номер: 8113092719
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDP7030BL, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 9 мОм, 10 В, 1.9 В
Доступно на заказ 1826 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
60 × = 60
от 25 шт. — 51 руб.
от 100 шт. — 46 руб.

Описание

The FDP7030BL is a 30V N-channel logic level PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• 175°C Rated junction temperature

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
65Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.009Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.9В

Дополнительная информация

Datasheet FDP7030BL