FDPF16N50T, MOSFET, Fairchild, FDPF16

PartNumber: FDPF16N50T
Ном. номер: 8011354941
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDPF16N50T, MOSFET, Fairchild, FDPF16
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
160 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET, Fairchild, FDPF16N50T

Технические параметры

Категория
Uninterruptible Power Supply
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.38 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
38.5 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220F
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1495 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
65 нс
Типичное время задержки включения
40 нс
Ширина
4.9mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
16.07mm
Длина
10.36mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FDPF16N50 / FDPF16N50T, N-Channel UniFET ...