FDS2734, MOSFET N-Channel 250V 3A

PartNumber: FDS2734
Ном. номер: 8037467604
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS2734, MOSFET N-Channel 250V 3A
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
240 × = 480
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 120 руб.
от 200 шт. — 80.60 руб.

Описание

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 250V 3A UltraFET SOIC8

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
4 x 5 x 1.5
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.225 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
250 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.5 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1960 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки включения
23 ns
Ширина
5mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
1.5mm
Длина
4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDS2734, UItraFET Trench 250V N-Channel MOSFET