FDS6298
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 руб.
от 5 шт. —
28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 65 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10@5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1108@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 0.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
