FDS6675, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 14 мОм, -10 В, -1.7 В

PartNumber: FDS6675
Ном. номер: 8063090040
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6675, МОП-транзистор, P Канал, 11 А ...
Доступно на заказ 2282 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
190 × = 190
от 25 шт. — 130 руб.
от 100 шт. — 97 руб.

Описание

The FDS6675 is a single P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 30nC Typical low gate charge

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9846239

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
11А
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.014Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.7В
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDS6675