FDS6681Z, МОП-транзистор, P Канал, 20 А, -30 В, 0.0038 Ом, -10 В, 1.8 В

PartNumber: FDS6681Z
Ном. номер: 8086806538
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6681Z, МОП-транзистор, P Канал, 20 А ...
Доступно на заказ 5972 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-4 недели.
320 × = 640
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 70 шт. — 130 руб.
от 200 шт. — 97.20 руб.


The FDS6681Z is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Extended VGSS range (-25V) for battery applications
• HBM ESD protection level of ±3.8kV typical
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1611454

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
Стиль Корпуса Транзистора
Количество Выводов
Максимальная Рабочая Температура
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDS6681Z