FDS6911, MOSFET, Fairchild, FDS691

PartNumber: FDS6911
Ном. номер: 8034158052
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6911, MOSFET, Fairchild, FDS691
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
90 × = 450
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 50 руб.
от 100 шт. — 42.40 руб.

Описание

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET, Fairchild, FDS6911

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор логического уровня
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Dual
Размеры
4.9 x 3.9 x 1.575мм
Максимальный непрерывный ток стока
7.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.02 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1130 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
26 нс
Типичное время задержки включения
9 ns
Ширина
3.9mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.575mm
Длина
4.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDS6911, Dual N-Channel Logic Level ...