FDS9958_F085, MOSFET Dual P-Channel 60V

PartNumber: FDS9958_F085
Ном. номер: 8048647083
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS9958_F085, MOSFET Dual P-Channel 60V
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 62 руб.
от 100 шт. — 52.80 руб.

Описание

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Fairchild FDS9958_F085 Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.9 A, 60 V, 8-Pin SOIC

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Dual
Размеры
4.9 x 3.9 x 1.575мм
Максимальный непрерывный ток стока
2.9 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.19 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
765 пФ при -30 В
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки включения
6 нс
Ширина
3.9mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.575мм
Длина
4.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDS9958_F085, Dual P-Channel PowerTrench ...