FDV302P, МОП-транзистор, P Канал, -120 мА, -25 В, 7.9 Ом, -4.5 В, -1 В

PartNumber: FDV302P
Ном. номер: 8011368443
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDV302P, МОП-транзистор, P Канал, -120 мА ...
Доступно на заказ 24855 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
12 × = 60
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 90 шт. — 7.90 руб.
от 250 шт. — 7.80 руб.

Описание

The FDV302P is a P-channel logic level enhancement-mode Digital FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation
• Gate-source Zener for ESD ruggedness, >6kV human body mode
• Compact industry standard surface-mount package
• Replace many PNP digital transistors (DTCx and DCDx) with one DMOS FET

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9846115

Технические параметры

Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
-120мА
Напряжение Истока-стока Vds
-25В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
7.9Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-1В
Рассеиваемая Мощность
350мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet FDV302P