FDV303N, MOSFET N-Channel 25V 0.68

PartNumber: FDV303N
Ном. номер: 8010922300
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDV303N, MOSFET N-Channel 25V 0.68
Доступно на заказ более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
9 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.
от 500 шт. — 5.50 руб.

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 25V 0.68A SOT23

Технические параметры

Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Длина
2.92mm
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный ток стока
0.68 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичная входная емкость при Vds
50 pF@ 10 V
Высота
0.93мм
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
1.64 нКл при 4.5 В
Максимальное сопротивление сток-исток
0.45 Ω
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип канала
N
Ширина
1.3mm
Максимальное рассеяние мощности
0.35 W
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
3 ns
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток
8 V
Число контактов
3
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Типичное время задержки выключения
17 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

FDV303N N-CH Digital FET Datasheet