FF1800R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.8 кА, 1.75 В, 175 °C, Module
![Фото 1/3 FF1800R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.8 кА, 1.75 В, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/555/DOC021555814.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
218 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 218 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FF1800R17IP5, SP001310752
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 1.8кА |
| DC Ток Коллектора | 1.8кА |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Другие названия товара № | FF1800R17IP5 SP001310752 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP PrimePACK |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1800 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 2 |
| Серия | Trenchstop IGBT5 - P5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Module |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1.8 kA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 kW |
| Package Type | AG-PRIME3+ |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 768 КБ
Datasheet FF1800R17IP5BPSA1
pdf, 642 КБ
Datasheet FF1800R17IP5BPSA1
pdf, 609 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
