FF600R12KE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 А, 1.75 В, 150 °C
![Фото 1/2 FF600R12KE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 А, 1.75 В, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/743/DOC004743188.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 150 руб.
от 5 шт. —
63 320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 150 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
• Extended operating temperature Tvjop
• Low switching losses
• Low VCEsat
• Unbeatable robustness
• VCEsat with positive temperature coefficient
• 4KV AC1 min insulation
• Package with CTI > 400
• High Creepage and clearance distances
• High power density
• Isolated base plate
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 600А |
| DC Ток Коллектора | 600А |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 kW |
| Package Type | AG-62MM |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 0.308 |
Техническая документация
Datasheet FF600R12KE4BOSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
