FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 600 А, 1.75 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 290 руб.
от 5 шт. —
65 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 70 290 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Dual, Common Emitter |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Другие названия товара № | FF600R12KE4_E SP001500374 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Channel Type | N |
Configuration | Common Emitter |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | 62 mm |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 602 КБ
Datasheet FF600R12KE4BOSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары