Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT › Infineon › FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный ...

FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 580 руб.

от 5 шт. — 13 430 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 580 руб.

Номенклатурный номер: 8700423578

Артикул: FF75R12RT4HOSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Технические параметры

Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	395 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	34MM Module
Pin Count	7
Transistor Configuration	Series
Вес, г	181.3