FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 50 шт. —
457 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Технические параметры
Технология/семейство | NPT Trench | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.65 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 312 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 190 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-3P | |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ
FGA25N120ANTDTU-D
pdf, 1423 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают