FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

520 руб.

от 50 шт. — 457 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 9020003351

Артикул: FGA25N120ANTDTU

pdf, 310 КБ

pdf, 1423 КБ

С этим товаром покупают

ST Microelectronics

3 120 руб.

Тайвань

13 руб.

Felder

1 590 руб.

Китай

690 руб.

MEAN WELL

3 090 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	NPT Trench
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	50
Импульсный ток коллектора (Icm), А	90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	190
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-3P
Вес, г	6.5