Добавить к сравнению Сравнить ()

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

Артикул: FGA25N120ANTDTU
Ном. номер: 9020003351
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/2 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Фото 2/2 FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
140 × = 140
от 25 шт. — 125 руб.
от 250 шт. — 122 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FGA25N120ANTD from Fairchild is a 1200V, 25A NPT Trench IGBT in through hole TO-3P package. IGBT offers superior conduction, switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application.

• Collector emitter voltage VCES is 1.2KV
• Collector current at 25°C is 50A
• Diode continuous forward current at 25°C is 50A
• Operating junction temperature range from - 55°C to 150°C
• Maximum power dissipation at 25°C is 312W
• Collector to emitter saturation voltage is 2.65V at IC = 50 A
• Maximum diode forward voltage is 3V at IF = 25A
• Diode peak reverse recovery current is 40A

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Управляющее напряжение,В
5.5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

FGA25N120ANTDTU
pdf, 310 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FGA25N120ANTDTU
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов