FGA25N120ANTDTU, IGBT N-Ch 1200V 50A NPT T

PartNumber: FGA25N120ANTDTU
Ном. номер: 8047710967
Производитель: Fairchild Semiconductor
FGA25N120ANTDTU, IGBT N-Ch 1200V 50A NPT T
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
420 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 310 руб.
от 50 шт. — 259.80 руб.

Описание

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Fairchild FGA25N120ANTDTU N-channel IGBT Transistor, 50 A 1200 V, 1MHz, 3-pin TO-3P

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.8 x 5 x 18.9mm
высота
18.9mm
длина
15.8mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
312 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-3P
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
ширина
5mm

Дополнительная информация

Datasheet