FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
![Фото 1/4 FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
от 15 шт. —
928 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
