FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 15 шт. —
450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Технические параметры
Технология/семейство | Field Stop/Gen 3 | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 238 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 16.8 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 54.4 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
Корпус | to-3pn | |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 2553 КБ
FGA6540WDF
pdf, 2553 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают